陕投新兴立芯光电成功研制高功率1060nm SLD芯片
发布时间：2026-06-26
来源：
作者：赵子千
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近日，陕投新兴立芯光电成功研制出1060nm超辐射发光二极管（Super Luminescent Diode，SLD）芯片。该芯片的成功研制，将打破相关产品长期依赖进口的局面，为国内脉冲光纤激光器厂商提供稳定、可靠的国产核心器件供应，有力支撑我国高端激光产业链的安全可控发展。
1060nm SLD芯片是光纤激光器的理想种子源。宽谱SLD型工作模式使其在注入光纤激光系统时，能有效抑制放大过程中的受激布里渊散射（Stimulated Brillouin Scattering，SBS）效应，突破系统峰值功率的上限，适用于高端精密制造、科学研究及工业检测等应用场景。该芯片长期被国外企业垄断，国内相关产业链存在“卡脖子”风险，严重制约了我国高端激光装备的自主发展。
立芯光电研发团队经过深入攻关，攻克了外延材料生长、波导弯曲角度优化、腔面镀膜等一系列关键工艺难题，成功制备出高功率1060nm SLD芯片。经测试，该芯片在CW模式下，输出功率＞700mW，3dB带宽＞20nm，优于国际同类产品10nm的3dB带宽，在抑制光纤激光系统SBS效应方面具有显著优势。
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